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真空PECVD系統

真空PECVD系統

真空PECVD系統

此款真空PECVD系統適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料,尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。

產品介紹:
    此款真空PECVD系統是由射頻電源、氣體質子流量控制系統、襯底控溫系統、真空系統組成,適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料,尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。

產品參數:
產品名稱 真空PECVD系統
產品型號 PT-T1200-PE
外殼 不銹鋼
內襯 兩層氧化鋁纖維
加熱元件 電阻絲
電源供應 AC 208-240V,單相,50/60 Hz
最高溫度 1200°C (2 hour)
工作溫度 1100 °C
溫度均勻 ±1°C
最大加熱和冷卻速率 ≤15 °C/S
爐管尺寸 Φ200×1400mm
管材 優質石英管
加熱區大小 Φ250×300mm
恒定溫度, 區域長度 180mm
密封 法蘭
功率 8KW
溫度控制 30 個可編程段,用于精確控制加熱速率、冷卻速率和停留時間。
內置 PID 自動調諧功能,具有過熱和熱電偶斷路保護。
過溫保護和警報允許在沒有服務人員的情況下進行操作。
+/- 1 ºC 溫度精度。
準確 ±1°C
總重量 100Kg
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