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真空CVD系統

真空CVD系統

真空CVD系統

此款真空CVD生長系統適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

產品介紹:
    此款真空CVD系統是一種分體式管式爐,配備 60mm 直徑的石英管、真空泵和四通道質量流量計氣體流動系統。 可混合1-6種氣體進行CVD。
 
應用范圍:
    此款CVD生長系統適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

技術參數:
產品名稱 真空CVD系統
產品型號 PT-T1600 CVD
第一部分:標準部分
管式爐 顯示 LED
爐體 分體式和上部可以打開
最高溫度 1600℃ 
工作溫度 ≤1500℃
升溫速率  0~10℃/min
溫區 300mm
加熱元件 MoSi2加熱元件
熱電偶 B 型
溫度控制精度 ±1℃
爐管 80 x 1000mm (OD x minimum L)
材質:高純氧化鋁管
溫度控制 通過可控硅功率控制進行PID自動控制
加熱曲線 30 步可編程
真空法蘭 帶閥門的不銹鋼真空法蘭
電壓與功率 220V, 50 Hz, 最大單相 4KW
真空泵系統 旋片真空泵+擴散真空泵 真空泵組:極限真空10-6 Torr。
旋片真空泵和擴散真空泵將設計成推車帶輪子。
質量流量計 四個精密質量流量計:
底殼安裝1個氣體混合罐,底殼左側安裝6個不銹鋼針閥,手動控制6種氣體混合
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