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1200℃PECVD系統

1200℃PECVD系統

1200℃PECVD系統

此款PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。

產品介紹:
    此款PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
 
產品用途:
    溫度范圍寬;濺射區域長;整管可調;精致小巧,性價比高,可實現快速升降溫,是實驗室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復合薄膜等的理想選擇,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
 
產品參數:
產品名稱 1200℃PECVD系統
產品型號 PT-PECVD-1200-50*300-F3
加熱系統 顯示 LED
最高溫度 1200℃
長期工作溫度 ≤1100℃
升溫速率  0~15℃/min (max. 20℃/min)
溫區 300mm
加熱元件 鉬棒
熱電偶 K type
溫度均勻性 ±1℃
爐管尺寸 60 x 1200mm
材質:氧化鋁
溫度控制 通過可控硅功率控制進行PID自動控制
加熱過程 30步可編程
電壓 220V,50 Hz,最大單相 3KW
最大工作壓力 0.02MPa
真空系統 旋片泵
包括 KF25 適配器、真空泵組波紋管和帶輪子的移動柜。
 
冷態極限真空10Pa。   
真空計 Inficon 數顯真空計
真空法蘭 帶閥門和針頭的不銹鋼真空法蘭
質量流量計 流量范圍 CO2(流量范圍:0-200 sccm
CH4(流量范圍:0-200 sccm)
N2 流量范圍(流量范圍:0-200 sccm)
準確性 ±1.5 % F.S.
重復精度 ±1.5 % F.S.
響應時間 ≦10sec
工作壓差范圍 0.1~0.5MPa
耐壓性 3MPa
溫度系數 零:≤±0.2% F.S./℃; 跨度:≤±0.2% F.S./℃
工作環境溫度 5~45℃
輸入信號 0 V ~ +5.00 V
輸出信號 0 V ~ +5.00 V
等離子射頻發生器 輸出功率:0 -300W可調,±1%穩定性
射頻頻率:13.56 MHz ±0.005% 穩定性
反射功率:最大 120W
電源穩定性指標:±0.1%
匹配:自動
噪音:<50 分貝。
整體效率:≧70%
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